為了使產(chǎn)品尺寸更小的安規(guī)電容且諧振頻率更高，安規(guī)電容制造商將面臨兩個(gè)挑戰(zhàn)：一方面，要求塑料的介電常數(shù)大于10,000，另一方面，保持塑料介電常數(shù)不變高。 在介電常數(shù)為100的條件下，陶瓷膜較薄。在需要高諧振頻率和低串聯(lián)電阻的地方，這些MLCC越來越多地用于耦合，旁路或?yàn)V波電路。 

為了優(yōu)化電氣性能，必須確定材料，設(shè)計(jì)和組裝方法的影響。  日本在安規(guī)電容該領(lǐng)域已處于領(lǐng)先地位。。聲稱他們已經(jīng)開發(fā)出一種尺寸僅為3.2mm×1.6mm的1μF電容器，僅為傳統(tǒng)電容器的一半。

安規(guī)電容制造方法是使用具有極細(xì)顆粒的鈦酸鋇粉末，以便使用的介質(zhì)更稀，當(dāng)然，給定尺寸的電容器的電容會增加。根據(jù)該公司的記錄和生產(chǎn)，該設(shè)備每月只開始使用500％。用于發(fā)動機(jī)控制系統(tǒng)和航空航天探測設(shè)備的耐高溫電子系統(tǒng)中，穩(wěn)定高需要300-600C溫度的多層陶瓷電容器作為傳感器，所使用的安規(guī)電容材料應(yīng)與高溫半導(dǎo)體兼容。 

安全電容器必須開發(fā)一種環(huán)保的低火介電陶瓷：它不會產(chǎn)生PbO等揮發(fā)性物質(zhì)，并且不需要在溶劑型粘合劑體系中進(jìn)行處理。 

美國TAM陶瓷公司正在研究使用基于CuO的燒成輔助材料來開發(fā)低燒結(jié)Z5U和Y5V介電陶瓷。 

根據(jù)所需的高達(dá)10,000或更高的介電常數(shù)，瓷器包含各種比例的BaCuO2：WO3或BaCuO2：MoO3。 

在1100℃烘烤2小時(shí)后，密度可以超過理論值的95。 

 WOz降低居里溫度，而MoO3不起作用。  對于安規(guī)電容動態(tài)隨機(jī)存取存儲元件和低電感去耦電容器等電荷存儲電容器在高速開關(guān)VLSI器件中產(chǎn)生噪聲時(shí)，介電材料需要低泄漏電流，高擊穿強(qiáng)度和高介電強(qiáng)度。電氣常數(shù)高。對于256位DRAM，要求電荷存儲密度在20至115 pC / cm2的范圍內(nèi)，泄漏電流密度在30至360 mA / cm2的范圍內(nèi)，電介質(zhì)厚度應(yīng)在在0.01至0.2μm的范圍內(nèi)。 

揚(yáng)州晶電電子科技有限公司是一家專業(yè)生產(chǎn)和銷售金屬化薄膜電容器的廠家。主要生產(chǎn)金屬化薄膜電容器5大系列：1、雙面金屬化電容器（MMKP）2、高頻高壓電容器（CBB81）3、聚丙薄膜電容器（CBB21）4、聚脂薄膜電容器（CL21、CL21X）5、方殼電容器（MKP、X2）。