電容廠家揚(yáng)州晶電電子科技有限公司的X2安規(guī)電容的主要特性參數(shù)。

    一、容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的偏差范圍。一般分為3級：1級±5%，2級±10%，三級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。

    常用的電容器其精度等級和電阻器的標(biāo)示方法相同。用之母表示：B(允許誤差±0.1%)，C(允許誤差±0.25%)，D(允許誤差±0.5%),F(允許誤差±1%),G(允許誤差±2%),J( 允許誤差±5%),K(允許誤差±10%),L(允許誤差±15%),M(允許誤差±20%),N(允許誤差±30%),Z(允許誤差+80%﹣20%)

    二，額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的直流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家

    三、溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家

    四、絕緣電阻：用來表示漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。

    五、損耗：在電場的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。

    六、頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應(yīng)減少。損耗也隨頻率的升高而增加。另外， 在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家。

揚(yáng)州晶電電子有限公司是一家專業(yè)生產(chǎn)和銷售金屬化薄膜電容器的廠家。主要生產(chǎn)金屬化薄膜電容器5大系列：1、雙面金屬化電容器（MMKP）2、高頻高壓電容器（CBB81）3、聚丙薄膜電容器（CBB21）4、聚脂薄膜電容器（CL21、CL21X）5、方殼電容器（MKP、X2）。