蘇州熱銷kemet電容器CL21/CBB21金屬化薄膜電容器，這種電容器是使用金屬化聚酯/聚丙烯薄膜為介質(zhì)/電極采用無感卷繞方式，環(huán)氧樹脂包封而成；kemet電容器廠家特點：具有電性能優(yōu)良、可靠性好、耐高溫、容量范圍寬，體積小，自愈性好，壽命長的特點；作用：應(yīng)用電視機、電腦顯示器、節(jié)能燈、鎮(zhèn)流器、通訊設(shè)備、電腦網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、電子玩具等直流和VHF級信號隔直流、旁路和耦合/高頻、交流、脈沖、耦合電路中起濾波、調(diào)頻、隔直流及時間控制等作用。

電容器也隨著大量電子產(chǎn)業(yè)一樣發(fā)展起來了。可現(xiàn)在市面上存在這多種多樣的電容器，我們大家見過的可能只是九牛一毛，但沒關(guān)系，人嘛，就是要活到老學(xué)到老，下面就給大家介紹下金屬化薄膜電容器的種類以及特點吧。熱銷kemet電容器廠家CBB91 型金屬化聚丙烯電容器特點與用途這種電容器是絕緣帶外包裹，環(huán)氧樹脂灌封，可以軸向引出；kemet電容器廠家特點：具有高絕緣、低損耗，頻率特性好，等效串聯(lián)電阻低等特點；作用：適用于音響的分頻器、功率放大器，及后置補償電路中，也適用于電子設(shè)備的直流交流和脈沖電路中。

當(dāng)熱銷kemet電容器薄膜電容器在上板焊接過程之后進行清洗, 或受到過度的機械應(yīng)力或沖洗時，就可能會發(fā)生這種剝落現(xiàn)象。蘇州kemet電容器廠家為了防止這種剝落現(xiàn)象導(dǎo)致元件性能下降，Panasonic等一些供應(yīng)商在薄膜電容器的頂部和底部都制作了超過50層的保護膜,如ECH-U1H104J, 這類薄膜電容器不會因這種表面剝落而劣化。即使剝落所有的保護膜，這類薄膜電容器的電氣性能和可靠性特性也不會受到影響。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家。如需驗證這種電容器的可靠性，您可以嘗試執(zhí)行以下測試： 高溫負荷試驗

蘇州kemet電容器1、鋁箔蝕刻(擴大表面積)：鋁箔是鋁電解電容器主要材料，將鋁箔設(shè)置為陽極，在電解液中通電后，鋁箔的表面會形成氧化膜(Al2O3)，熱銷kemet電容器廠家此氧膜的功能為電介質(zhì)、蝕刻的作用是擴大鋁箔表面積。蝕刻是在氯化物溶液中施加交流或直流電流的電化學(xué)過程。2、化成(形成電介質(zhì)層)：化成是在陽極鋁箔表面形成電介質(zhì)層(Al2O3) 的過程。一般將化成過的鋁箔作為陽極使用。為了擴大表面積，將鋁箔材料置于氯化物水溶液中進行電化學(xué)蝕刻。然后，在硼酸銨溶液中施加高于額定電壓的電壓后，在鋁箔表面形成電介質(zhì)氧化層(Al2O3)，這個電介質(zhì)層是很薄很致密的氧化膜，大概.1~1.5nm/vot , 絕緣電阻大約為108 ～109Ω/m。氧化層的厚度和耐壓成正比。為了增加擴大表面積的效率，根據(jù)額定電壓的不同，而蝕刻形狀也不同。

用數(shù)字萬用表檢查，將數(shù)字萬用表撥到合適的電阻檔，紅表筆和黑表筆分別接觸被測電容器的兩極。這時，顯示值將從000開始逐漸增加，直到顯示溢符號“1”。如果始終顯示000，說明電容器內(nèi)部短路。如果始終顯示溢出，可能是電容器內(nèi)部極間開路，也可能是選擇的電阻檔不合適。為了能從顯示屏上看到電容器的充電過程，kemet電容器廠家對不同容量的電容器應(yīng)選擇不同的電阻檔位。選擇電阻檔的原則是：電容器較大時，應(yīng)選用低阻檔；蘇州kemet電容器電容器容量較小時，應(yīng)選用高阻檔。如果用低阻檔檢查小容量電容器，由于充電時間很短，會一直顯示溢出，看不到變化過程，從而很容易誤判為電容器已開路。如果用高阻檔檢查大容量電容器，由于充電過程很緩慢，測量時間需要較和長。對于0.1~1000uF以上的電容器可按下表選擇電阻檔（表中的充電時間指顯示檔從000變化到溢出所需的時間）。

運行電壓過高引起移相電容器過早淘汰。熱銷kemet電容器電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運行電壓的平方成正比，運行電壓的升高，使電容器溫度顯著增加，另外在長期電場的作用下，會加速電容器絕緣的老化，國際上公認電容器的壽命與電壓的7-8次方成反比.例如電壓增高15%，壽命就可能縮短3. 1倍左右。某變電站曾由于運行電壓過高加以通風(fēng)不良，造成多臺電容器運行不到一年，大部分外殼鼓出而淘汰。kemet電容器操作過電壓引起電容器的損壞。切斷并聯(lián)電容器組時，可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓，切斷過程中，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起強烈的電磁振蕩，出現(xiàn)更高的過電壓值.這一過電壓的幅值，與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時觸頭間的電位差有關(guān)。