熱銷DC-Link電容器聚丙烯薄膜電容器的定義：存儲電荷或存儲電場能量的“容器”。電容量C＝電容量的單位：F、μF、nFpF1F=106μF=109nF=1012pF1μF=103nF=106pF1nF=103pF電容器的容量標志方法：直標法如：1u0，100n,1n0數字法如：105，104，102實際電容器的等效電路其中：RI—電容器絕緣電阻LS—電容器自身電感CS—等效串聯電容RS—損耗的等效串聯電阻。單位時間內因發(fā)熱而消耗掉的能量叫電容器的損耗一般用損耗角正切表示：tgδ=有功功率/無功功率。DC-Link電容器損耗主要有：介質損耗介質漏電流引起的電導損耗.介質緩慢極化帶來的極化損耗電離損耗金屬損耗(引線,極板,引線與極板之間的接觸)聚丙烯薄膜電容損耗角正切常用測試方法:20℃,1KHz聚酯類(CL)≤0.01聚丙烯類(CBB)≤0.001由于介質極性不同,因此聚丙烯薄膜電容器損耗角正切比聚酯膜電容器小得多,特別是使用在高頻率下的損耗頻率特性要好得多。

西藏DC-Link電容器電容器的早期損壞多由于制造原因。高壓電容器:通常由多個元件申并聯構成，每個元件由鋁箔作電極，將固體介質放于電極之間.經卷繞而制成。DC-Link電容器價格元件的極板面積很大，由于原材料及制造工藝等原因，介質中可能存在雜質，機械損傷.針孔、清潔度低等問題，這就成了電容器固有的隱患。在系統(tǒng)中受各種原因引起的過電壓，過電流及周圍高、低溫度的作用，這些薄弱點便引起介質擊穿。擊穿時通常會產生火花，進一步的擴大范圍，從而形成多層短路甚至整個元件短路。與擊穿元件串聯的元件上的電壓將會隨之升高，與其并聯的元件組會被短接，從而使剩余的串聯組上的電壓隨之升高，通過每個元件的電流也隨之增大.將導致各個元件的迅速老化，增加發(fā)熱量.同時在較高電壓作用下也將產生極板邊緣的局部放電。

西藏熱銷DC-Link電容器安規(guī)電容的放電和普通電容不一樣，普通電容在外部電源斷開后電荷會保留很長時間，如果用手觸摸就會被電到，而安規(guī)電容則沒這個問題。DC-Link電容器出于安全考慮和EMC考慮，一般在電源入口建議加上安規(guī)電容?！≡诮涣麟娫摧斎攵?一般需要增加3個安全電容來抑制EMI傳導干擾。它們用在電源濾波器里，起到電源濾波作用，分別對共模，差模干擾起濾波作用。

X電容跨接在L-N線間，一般用于濾波器中抑制差模干擾用。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家。因為用途的原因，X電容有以下幾個特點：額定電壓應當與輸入電網電壓相當（規(guī)格上標識的耐壓AC250V或AC275V字樣），保證不會被加在兩端的電壓擊穿。熱銷DC-Link電容器X電容一般容量會比Y電容大些，典型容值是零點幾μF~1μF。西藏DC-Link電容器 對于不同要求的設備，X電容的脈沖耐壓規(guī)格有所不同，X電容一般分為X1/X2/X3三種等級，即X1電容使用最多：X電容一般使用金屬聚脂薄膜類電容。這種類型的電容，體積較大，但其內阻相應較小，紋波電流大，容易在瞬間充放電。普通電容動態(tài)內阻較高，紋波電流較小，耐壓也難達到規(guī)格。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家。