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薄膜電容
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內(nèi)蒙古供應(yīng)CBB薄膜電容價格

2020-10-14
內(nèi)蒙古供應(yīng)CBB薄膜電容價格

供應(yīng)CBB薄膜電容X2安規(guī)電容的安規(guī)要求:根據(jù)IEC 60384-14。火星傳媒分為X電容及Y電容。X電容是指跨于L-N之間的電容器;Y電容是指跨于L-G/N-G之間的電容器。供應(yīng)CBB薄膜電容X電容底下又分為X1, X2, X3,主要差別在于:1. X1耐高壓大于2.5 kV,小于等于4 kV;2. X2耐高壓小于等于2.5 kV;3. X3耐高壓小于等于1.2 kV 。Y電容底下又分為Y1; Y2;Y3;Y4,主要差別在于:1. Y1電壓400-500V,測試耐電壓可達(dá)4000VAC;2. Y2電壓250-300V,測試耐電壓可達(dá)2600VAC;X,Y電容都是,火線零線間的是X電容,火線與地間的是Y電容。它們用在電源濾波器里,起到電源濾波作用,分別對共模,差模工擾起濾波作用。X2安規(guī)電容,薄膜電容,電容廠家。除了日常中我們的一些注意事項,在采購的過程中我們要注意質(zhì)量,找一些售后有保障的安規(guī)電容廠家,可以避免不必要的麻煩。

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供應(yīng)CBB薄膜電容價格金屬化薄膜電容器,在將雙面金屬化聚丙烯膜和非金屬化聚丙烯膜進行卷取或者疊層所組成的金屬化膜電容器.特性,CBB薄膜電容價格因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要特性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣),而且介質(zhì)損失很小?;谝陨系膬?yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在類比電路上。尤其是在信號交連的部份,必須使用頻率特性良好,介質(zhì)損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑膠薄膜電容當(dāng)中,又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著,當(dāng)然這兩種電容器的價格也比較高。然而近年來音響器材為了提升聲音的品質(zhì),所采用的零件材料已愈來愈高級,價格并非最重要的考量因素,所以近年來PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材,號稱用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容,以做為在聲音品質(zhì)上的背書,其道理就在此。

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內(nèi)蒙古CBB薄膜電容安規(guī)電容的放電和普通電容不一樣,普通電容在外部電源斷開后電荷會保留很長時間,如果用手觸摸就會被電到,而安規(guī)電容則沒這個問題。CBB薄膜電容價格出于安全考慮和EMC考慮,一般在電源入口建議加上安規(guī)電容?!≡诮涣麟娫摧斎攵?一般需要增加3個安全電容來抑制EMI傳導(dǎo)干擾。它們用在電源濾波器里,起到電源濾波作用,分別對共模,差模干擾起濾波作用。X電容:由于這個電容連接的位置也比較關(guān)鍵,同樣需要符合相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)。X電容同樣也屬于安全電容之一。Y電容:這兩個Y電容連接的位置比較關(guān)鍵,必須需要符合相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn), 以防引起電子設(shè)備漏電或機殼帶電,容易危及人身安全及生命?!?/p>

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運行電壓過高引起移相電容器過早淘汰。供應(yīng)CBB薄膜電容電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運行電壓的平方成正比,運行電壓的升高,使電容器溫度顯著增加,另外在長期電場的作用下,會加速電容器絕緣的老化,國際上公認(rèn)電容器的壽命與電壓的7-8次方成反比.例如電壓增高15%,壽命就可能縮短3. 1倍左右。某變電站曾由于運行電壓過高加以通風(fēng)不良,造成多臺電容器運行不到一年,大部分外殼鼓出而淘汰。CBB薄膜電容操作過電壓引起電容器的損壞。切斷并聯(lián)電容器組時,可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓,切斷過程中,如果斷路器發(fā)生電弧重燃,將引起強烈的電磁振蕩,出現(xiàn)更高的過電壓值.這一過電壓的幅值,與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān),也與電弧重燃時觸頭間的電位差有關(guān)。

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供應(yīng)CBB薄膜電容識別方法:電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000納法(nF),1納法=1000皮法(pF)容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10 μF/16V。供應(yīng)CBB薄膜電容容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF數(shù)字表示法:三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇,第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個數(shù),它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。221表示標(biāo)稱容量為220pF。224表示標(biāo)稱容量為22x10(4)pF。

標(biāo)簽

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